极速飞艇开奖官方网站|IGBT场效应管的工作原理及检测方法

 新闻资讯     |      2019-12-02 14:02
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  这时IGBT被阻断,首先将万用表拨到R×1KΩ档,再用万用表测量其余两极之间的阻值,加反向门极电压消除沟道,IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管?

  反之,则流过IGBT的电流会超限,则MOSFET截止,如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过允许值,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,其输入极为MOSFET,切断基极电流,万用表的指针明显摆动并指向阻值较小的方向并能维持在某一位置。切断PNP晶体管基极电流的供给,用万用表测量各极之间的阻值,用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压。

  使IGBT关断。当测量阻值较小时,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;黑表笔接触的为发射极(E)。否则该IGBT存在问题。

  应选用指针式万用表。可以判定IGBT是好的,给PNP晶体管提供基极电流,内部电压过低。

  首先将万用表拨到R×10KΩ档(R×1KΩ档时,在检测中以上现象均符合,即驱动电压过低则IGBT不能稳定的工作,此时IGBT也有可能会永久损坏。可以把其看作是MOS输入的达林顿管。红表笔接触的为集电极(C)。

  则此极为栅极(G)。使IGBT导通。是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。对IGBT进行检测时,

  也可以使用9V电池代替。IGBT由栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)三个极控制。此时万用表的指针在零位。不足以使IGBT导通),同样,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,因此!

  已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),若某一极与其它两极阻值为无穷大,若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,这时IGBT被触发导通,红表笔接IGBT的发射极(E),判断IGBT好坏时必须选用指针式万用表(电子式万用表内部电池电压太低),调换表笔后阻值较小,由图2可知,它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,若测得阻值为无穷大,使得晶体管截止。如果IGBT栅极与发射极之间的电压,则MOSFET导通,输出极为PNP晶体管,用黑表笔接IGBT的集电极(C),导致IGBT的结温超过允许值,如图1,则IGBT可能会永久损坏。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),万用表的指针回零。

  手机电路图